โมดูลขับ IGBT ABB FS450R12KE3/AGDR71C S

คลิกเพื่อติดต่อ!

ผู้จัดการฝ่ายขาย: ฟริดา
โทรศัพท์/WhatsApp: +86 15359408275
อีเมล: sales5@mooreplc.com

รายละเอียดเพิ่มเติม
แรงดันระหว่างคอลเลคเตอร์และอีมิเตอร์ (V_CES): 1200 โวลต์
กระแสไฟฟ้ากระแสตรงต่อเนื่องที่ตัวเก็บประจุ (I_C) ที่อุณหภูมิ T_C=80°C และ T_vj_max=150°C: 450 A
กระแสไฟฟ้ากระแสตรงต่อเนื่องที่ตัวเก็บประจุ (I_C) ที่อุณหภูมิ T_C=25°C และ T_vj_max=150°C: 600 A
กระแสคอลเลคเตอร์สูงสุดแบบซ้ำๆ (I_CM): 900 A
กำลังไฟฟ้าที่สูญเสียทั้งหมด (P_tot): 2100 วัตต์
แรงดันสูงสุดระหว่างเกตและอีมิเตอร์ (V_GE): ±20 V
แรงดันอิ่มตัวระหว่างคอลเลคเตอร์และอีมิเตอร์ (V_CE_sat) โดยทั่วไปที่ I_C=450A, T_vj=25°C: 1.70 V
แรงดันอิ่มตัวระหว่างคอลเลคเตอร์และอีมิเตอร์ (V_CE_sat) โดยทั่วไปที่ I_C=450A, T_vj=125°C: 2.15 V
แรงดันเกณฑ์เกต (V_GE_th): 5.8 โวลต์โดยทั่วไป (ต่ำสุด 5.0 โวลต์ สูงสุด 6.5 โวลต์)
ประจุเกต (Q_G): โดยทั่วไป 4.30 µC
ตัวต้านทานเกตภายใน (R_G_int): 1.7 Ω
ค่าความจุอินพุต (C_ies): 32.0 nF
ค่าความจุการถ่ายโอนย้อนกลับ (C_res): 1.50 nF
กระแสตัดวงจรระหว่างคอลเลคเตอร์และอีมิเตอร์ (I_CES): 5.0 มิลลิแอมป์
กระแสรั่วไหลระหว่างเกตและอีมิเตอร์ (I_GES): 400 นาโนแอมป์
กระแสลัดวงจร (I_SC): 1800 A
แรงดันย้อนกลับสูงสุดซ้ำ (V_RRM): 1200 V
กระแสไฟฟ้าตรงไปข้างหน้าต่อเนื่อง (I_F): 450 A
กระแสตรงสูงสุดแบบซ้ำๆ (I_FRM): 900 A
ค่าความต้านทานที่ 25°C (R_25): 5.00 kΩ
ค่าการสูญเสียพลังงานที่ 25°C (P_25): 20.0 มิลลิวัตต์
ค่า B (B_25/100): 3375 K
แรงดันทดสอบการแยก (V_ISO): 2.5 kV
ระยะห่างระหว่างขั้วต่อกับแผ่นระบายความร้อน: 14.5 มม.
ระยะห่าง (จากขั้วต่อถึงฮีทซิงค์): 10.0 มม.
ดัชนีการติดตามเปรียบเทียบ (CTI): >225
ความต้านทานความร้อนจากตัวเคสถึงฮีทซิงค์ของโมดูล (R_th_CH): 0.005 กิโลโอห์ม/วัตต์